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InGaAs Photo Diode

本产品可用于测距光学，通信系统，光学相干层析成像，微光探测。
80um和200um、300um可供选择。
1550nm处的峰值响应度。

产品特点
80um 200um 350um 500um Active Area Bandwidth up to 2.5Ghz Over 70%QE from 1000 to 1600nm Low dark current & noise TO-46
图文详情

21°C时的一般特性
波长范围：1100nm（最小）1550nm（类型）1650nm（最大）
峰值灵敏度：1550nm
储存温度：60°C~125°C
工作温度：-40°C~85°C
最大反向电流：3mA
最大正向电流：5mA
最大电容：2.0pF
反向击穿电压：50V

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